型号：DMP6050SFG-13
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-60V
　　最大连续漏极电流（ID）：-5A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-20A
　　最大功耗（PD）：2.5W
　　导通电阻RDS(on)：75mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻RDS(on)：95mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-1V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：620pF @ VDS=20V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=20V
　　栅极阈值电压测试条件：VDS = VGS, ID = 250μA
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SO-8（PowerSO-8）
　　引脚数：8
　　极性：P沟道
　　安装方式：表面贴装（SMD）

DMP6050SFG-13采用先进的沟槽工艺制造，具备出色的电气性能和热稳定性，特别适合用于高密度电源管理系统。其低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。在VGS = -10V时，RDS(on)仅为75mΩ，在VGS = -4.5V时也仅达到95mΩ，这使得该器件即使在较低的栅极驱动电压下也能保持良好的导通能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有效减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频开关应用中的能效表现。同时，其输入电容（Ciss）为620pF，反向传输电容（Crss）为50pF，这些参数有利于实现快速的开关响应，并减少噪声耦合对控制电路的影响。此外，器件具备良好的跨导（Transconductance）特性，确保了稳定的栅极控制和精确的电流调节能力。
　　DMP6050SFG-13的阈值电压范围为-1V至-2.5V，能够在较宽的栅极电压范围内可靠开启，增强了系统设计的灵活性。其最大漏源电压为-60V，可支持多种中低压直流电源系统，如12V、24V工业控制系统或电池供电设备。器件的最大连续漏极电流为-5A，脉冲电流可达-20A，具备较强的瞬态负载承受能力。
　　该器件采用PowerSO-8封装，底部带有外露散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至内层或背面，极大提升了散热效率。这种封装形式不仅节省空间，还增强了热循环可靠性，适合在紧凑型电子产品中使用。工作结温范围为-55°C至+150°C，表明其可在严苛环境条件下稳定运行，满足工业级和汽车级应用需求。

DMP6050SFG-13广泛应用于各类需要高效P沟道功率开关的场合。典型应用包括电源开关、高边负载开关、电池供电设备的电源管理模块、便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、移动电源）中的电压切换与保护电路。由于其支持逻辑电平驱动，常被用于微控制器直接控制的电源路径管理中，实现对外设电源的软启动和断电控制，避免浪涌电流冲击。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用作同步整流器或高端开关，尤其适用于降压（Buck）拓扑结构中的上管开关，配合N沟道MOSFET下管实现高效的电压转换。其低导通电阻和快速开关特性有助于降低转换损耗，提升电源转换效率。
　　此外，DMP6050SFG-13也适用于电机驱动、继电器驱动、LED驱动电源等功率控制领域。在热插拔电路中，它可以作为主开关元件，结合限流和过压保护机制，防止带电插拔时对系统造成损害。其高可靠性与宽温度范围特性使其在工业自动化、通信设备、网络路由器及家用电器中均有广泛应用前景。

[
　　 "DMG6050SFG-13",
　　 "DMP6050SKF-13",
　　 "SI7650DP-T1-GE3",
　　 "FDD668P",
　　 "AO4479"
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