时间：2025/5/20 15:45:31
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PMV117EN是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于各种高效率、高性能的功率转换和电机驱动应用。其主要特点是低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功耗并提高系统效率。此外，PMV117EN具有较高的电流处理能力，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：40A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ
栅极电荷（Qg）：38nC
开关时间：ton=80ns, toff=50ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
PMV117EN拥有低导通电阻和优化的开关性能，适合高效能设计需求。
其具备出色的热稳定性，可在极端温度条件下正常工作。
内置ESD保护电路，增强了器件在实际应用中的可靠性。
该器件还支持快速开关操作，并具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
同时，PMV117EN的设计符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
PMV117EN广泛应用于直流-直流转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动、负载开关以及电池管理系统等场景。
由于其强大的电流承载能力和低导通电阻，特别适合工业设备、汽车电子和消费类电子产品中的功率管理模块。
它也可以作为固态继电器使用，在需要频繁开关或长时间工作的环境中表现优异。
IRFZ44N
STP40NF60
FDP5800
