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HSMS-280N-TR2G 发布时间 时间:2025/9/15 9:45:18 查看 阅读:18

HSMS-280N-TR2G 是一款由 Avago(安华高,现为 Broadcom 博通的一部分)制造的表面贴装型 PIN 二极管,常用于射频(RF)和中频(IF)信号控制应用。该器件采用 SOT-23 封装,具有紧凑的尺寸和良好的高频性能,适用于开关、衰减器、调制器等射频系统中的信号调节。HSMS-280N-TR2G 是一种双 PIN 二极管配置,可以用于差分或单端应用,提供优异的线性度和低插入损耗。

参数

类型:PIN 二极管
  封装类型:SOT-23
  工作频率范围:DC ~ 1 GHz(典型)
  最大正向电流:100 mA
  最大反向电压:100 V
  电容(在0V,1MHz):约0.3 pF
  封装:表面贴装
  温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

HSMS-280N-TR2G 具备一系列适用于射频控制电路的高性能特性。首先,其双 PIN 二极管结构允许在差分配置中使用,从而提高信号隔离度和线性度,适用于要求高稳定性的射频开关和衰减器设计。其次,该器件的低电容(约0.3 pF)确保了在高频条件下仍能保持较低的插入损耗,提升整体系统的信号完整性。此外,HSMS-280N-TR2G 的 SOT-23 小型封装使其适用于高密度 PCB 布局,且具备良好的热稳定性,可在宽温度范围内(-55°C 至 +150°C)稳定工作。其高反向击穿电压(100V)和额定正向电流(100mA)也增强了其在各种应用中的可靠性和耐用性。最后,该器件无铅封装符合 RoHS 环保标准,适用于现代电子制造中的绿色要求。
  在实际应用中,HSMS-280N-TR2G 的 PIN 二极管结构可通过改变其偏置电流来调节其射频阻抗,从而实现对信号路径的动态控制。这种特性使其成为射频自动增益控制(AGC)、可变衰减器和射频开关电路中的理想选择。此外,该器件的高频响应和低失真特性也使其适用于中频(IF)和射频(RF)信号处理系统。

应用

HSMS-280N-TR2G 主要用于需要射频信号调节和控制的各类电子系统中。典型应用包括射频开关、衰减器、调制器、射频自动增益控制(AGC)电路、中频(IF)信号处理模块以及射频测试与测量设备。其小型封装和优异的高频性能使其适用于通信设备、无线基础设施、工业控制系统以及医疗成像设备中的射频前端模块。此外,该器件也广泛应用于消费类射频产品,如无线接入点、射频识别(RFID)系统和智能天线控制系统等场景。

替代型号

HSMS-2850, HSMS-2852, HSMS-2862, BAR63-03W

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HSMS-280N-TR2G产品

HSMS-280N-TR2G参数

  • 数据列表HSMS-280x
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 2 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大)70V
  • 电流 - 最大1A
  • 电容@ Vr, F2pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F35 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)