时间：2025/9/14 17:10:16
阅读：4
BUK9230-100B,118 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和高耐压特性，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：55A（Tc=25℃）
功耗（Ptot）：160W
导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ（最大值，Vgs=10V）
封装形式：TO-220AB
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
BUK9230-100B,118 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率和高频应用。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供优异的开关性能，减少开关过程中的能量损耗。
此外，该 MOSFET 封装在 TO-220AB 标准封装中，具有良好的热传导性能，便于散热设计，适合在高电流和高温环境下运行。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），可与多种栅极驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在突发高电压或电流冲击下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。其内部结构优化设计也有效降低了寄生电容，有助于提升高频开关性能，适用于各种功率转换拓扑结构如同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。
BUK9230-100B,118 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业电机驱动以及汽车电子系统。该器件特别适用于高效率和高功率密度要求的场合，例如服务器电源、电信设备电源、光伏逆变器和电动车功率控制系统等。
在 DC-DC 转换器中，BUK9230-100B,118 可作为主开关或同步整流器使用，以提高转换效率并减少热量产生。在电机控制和负载开关电路中，它能够提供快速响应和低导通损耗，实现对负载的高效控制。
由于其出色的热性能和抗冲击能力，该 MOSFET 也常用于汽车电子系统中的功率管理模块，例如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及电池管理系统中。
IRF1405, STP55NF06, FDP55N06, BUK9210-100B,118
