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LBAT54SDW1T1G 发布时间 时间:2025/8/13 19:37:55 查看 阅读:20

LBAT54SDW1T1G是一款由ON Semiconductor生产的双通用硅二极管,采用先进的CMOS工艺制造,适用于高频开关应用。这款二极管具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,使其非常适合用于电源管理和信号处理电路。LBAT54SDW1T1G采用SOT-363封装,具有较小的尺寸和良好的热性能,适合高密度PCB设计。

参数

类型:双二极管
  正向电压(Vf):最大1.0 V(在100 mA时)
  反向漏电流(Ir):最大100 nA(在100 V时)
  恢复时间(Tr):最大20 ns
  最大正向电流(If):100 mA
  最大反向电压(Vrrm):100 V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-363

特性

LBAT54SDW1T1G的主要特性之一是其低正向电压降,这有助于减少功耗并提高效率。该器件的快速恢复时间使其非常适合高频开关应用,例如在电源转换器和信号调节电路中使用。双二极管结构允许在一个封装中实现两个独立的二极管,节省了PCB空间并简化了设计。
  此外,LBAT54SDW1T1G具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。其SOT-363封装设计不仅体积小巧,还提供了优良的热传导性能,确保器件在高负载条件下也能正常工作。这种二极管还具有较高的反向击穿电压,能够在高压应用中提供可靠的保护功能。

应用

LBAT54SDW1T1G广泛应用于各种电子设备中,包括电源管理系统、DC-DC转换器、信号处理电路和电池供电设备。由于其低功耗和高效率的特点,它常用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
  在工业控制和自动化系统中,LBAT54SDW1T1G可以用于隔离电路和保护电路,防止电压反向流动或过压损坏关键部件。在汽车电子系统中,该器件也常用于电源调节和保护电路,确保车辆电子设备在各种工作条件下的稳定运行。

替代型号

BAT54S, BAS70-04, 1N4148

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