1N5925B是一种常见的高压瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于电路中的过电压保护。该器件具有快速响应时间、高浪涌吸收能力以及低电容特性,能够有效防止由雷击、静电放电(ESD)和其他瞬态电压引起的损害。
1N5925B的工作原理基于雪崩击穿机制,在超过其额定反向击穿电压时,它会迅速导通以将多余的电压和电流分流到地,从而保护下游的敏感电子元件。
型号:1N5925B
类型:TVS二极管
工作电压(VRWM):25V
击穿电压(VBR):30V
最大箝位电压(VC):48.5V
峰值脉冲电流(IPP):150A
反向漏电流(IR):1μA(最大值,25℃)
结电容(CJ):30pF(典型值)
响应时间:1ps
封装形式:DO-214AA
1N5925B的主要特点是其出色的瞬态电压抑制能力和可靠性。其响应时间非常短(仅1皮秒),可以几乎实时地应对电压尖峰。
此外,该器件能够在短时间内承受高达150安培的峰值脉冲电流,这使得它非常适合用于工业设备、通信系统以及消费类电子产品中对高能量瞬态的防护。
它的低结电容设计使其适用于高频信号线路保护场景,同时保持了信号完整性。
由于其良好的热稳定性和耐用性,1N5925B在恶劣环境下的应用也表现出色。
1N5925B广泛应用于各种需要过压保护的电路中,包括但不限于以下领域:
- 通信设备中的射频端口保护
- 工业控制系统的信号线防护
- 消费类电子产品的接口保护(如USB、HDMI等)
- 汽车电子系统中的瞬态抑制
- 雷击保护电路中的关键元件
- 静电放电(ESD)防护电路
它通常被用作一级或二级保护措施,与气体放电管或其他保护元件协同工作,提供更全面的防护效果。
1N5926B, SMAJ30A, P6KE30A