时间：2025/8/2 7:29:13
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PMPB29XPE 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源管理和功率转换应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。PMPB29XPE 采用先进的沟槽技术，提供卓越的热性能和高功率密度，适用于各种电源系统，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备。该器件采用紧凑型封装，便于在有限空间内安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，典型值为2.9mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热
技术：沟槽型MOSFET
PMPB29XPE 具备多项优良特性，使其在高性能电源应用中表现出色。
首先，该器件的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其典型值为2.9mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗和温度上升。
其次，PMPB29XPE 采用了先进的沟槽技术，优化了器件的导电性能和开关速度。这使得其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并提高整体系统效率。
此外，该 MOSFET 具备高电流承载能力，最大连续漏极电流可达160A，适合用于大功率负载的控制和管理。
在热管理方面，PMPB29XPE 采用 PowerPAK SO-8 封装，支持双面散热，增强了热传导性能。这种设计有助于在高功率运行时有效散热，确保器件长期稳定运行。
最后，该器件的工作温度范围广泛，可在-55°C至175°C之间正常工作，适应各种严苛的工业和汽车环境。
PMPB29XPE 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关使用，提供高效的能量转换。在电池管理系统中，PMPB29XPE 用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。在电机控制和负载开关应用中，其高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想选择。此外，该器件还可用于服务器电源、电信设备、工业自动化系统以及汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）和车载充电器（OBC）。由于其紧凑型封装和双面散热设计，PMPB29XPE 也非常适合空间受限的高功率密度应用。
SiR142DP, NexFET CSD17551Q5A, PSMN180-30PL, IPB018N10N3
