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IS34MW01G164-BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:23:29 查看 阅读:41

IS34MW01G164-BLI-TR 是 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)公司推出的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS技术制造,具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特点,广泛应用于工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统等领域。IS34MW01G164-BLI-TR 属于低功耗异步SRAM产品系列,适用于需要高速数据存储和低功耗运行的场合。

参数

类型:异步SRAM
  容量:1Mbit(128K x 8)
  电源电压:2.3V ~ 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度:-40°C ~ +85°C
  接口:并行
  封装尺寸:8mm x 14mm
  封装形式:自动插入兼容
  功耗:典型值约50mA(待机模式下低至10μA)

特性

IS34MW01G164-BLI-TR 采用高性能CMOS工艺制造,具有快速访问时间和低功耗特性,非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其异步接口设计简化了与微处理器或控制器的连接,无需外部时钟同步控制。该芯片的55ns访问时间确保了高效的数据读写性能,适用于实时数据缓冲和高速缓存应用。
  这款SRAM器件支持宽电压范围(2.3V至3.6V),增强了系统设计的灵活性,并确保与多种电源管理方案兼容。其TSOP封装形式不仅减小了PCB空间占用,还提升了高频工作的稳定性。此外,IS34MW01G164-BLI-TR 支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),可在严苛的环境条件下可靠运行。
  在低功耗模式下,该芯片的待机电流极低,有助于延长设备的电池寿命。它还具备自动省电功能,在未被访问时自动进入低功耗状态。这种设计特别适合便携式设备、无线通信模块和远程传感系统。

应用

IS34MW01G164-BLI-TR 主要应用于需要高速数据存取和低功耗运行的嵌入式系统中,例如工业控制设备、通信模块、路由器、网络交换机、医疗设备、测试仪器以及便携式电子产品。该芯片还可用于数据缓冲、高速缓存、图像处理存储器以及嵌入式系统的临时数据存储等场景。

替代型号

IS61LV128AL-55BLLI-TR, CY62148EAV25-48B4XI, IDT71V128SA7S3CI

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IS34MW01G164-BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥28.23885卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间30 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳63-VFBGA
  • 供应商器件封装63-VFBGA(9x11)