时间：2025/8/17 1:10:37
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CESD3V3D3 YU 是一款专为保护电子电路免受静电放电（ESD）损害而设计的瞬态电压抑制二极管阵列。该器件通常用于高速数据线路和敏感电子设备中，以确保在受到静电冲击时能够迅速响应并保护后端电路。该封装为小型表面贴装封装，适用于需要高可靠性和空间受限的应用场景。
类型：ESD保护二极管阵列
工作电压：3.3V
反向关态电压（VRWM）：3.3V
钳位电压（Vc）：典型值为7V（在Ipp=1A条件下）
最大峰值脉冲电流（Ipp）：±15A
响应时间：小于1ns
极间电容：典型值小于1pF
封装形式：SOT-23或类似小型SMD封装
工作温度范围：-40°C至+85°C
CESD3V3D3 YU的主要特性之一是其快速响应能力，能够在纳秒级时间内对静电放电事件做出反应，从而有效防止瞬态高压对下游电路的损害。器件具有低钳位电压，在发生ESD事件时能够将电压钳制在安全范围内，以保护敏感的IC和电路。
此外，该器件具有低漏电流特性，在正常工作条件下对电路性能的影响极小。其低极间电容设计确保了在高速数据传输应用中不会引起信号完整性问题，因此非常适合用于USB、HDMI、LAN等高速接口的保护。
该ESD保护器件采用小型表面贴装封装，节省PCB空间，同时支持自动贴片工艺，适用于大规模生产。其宽广的工作温度范围也使其适用于各种严苛环境条件下的应用。
CESD3V3D3 YU广泛应用于需要静电保护的各类电子设备中，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品。它也常用于通信设备中的数据接口保护，如以太网端口、USB接口、RS-485通信线路等。此外，在工业控制系统、汽车电子模块、医疗仪器以及测试测量设备中也有广泛应用。
NXP PESD3V3S1BL | Infineon ESD3V3B1B | STMicroelectronics ESDA3V3BR
