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HN58V256ATI-12 发布时间 时间:2025/9/7 11:36:38 查看 阅读:27

HN58V256ATI-12 是由 Renesas(瑞萨电子)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有256Kbit的存储容量,采用高性能CMOS技术制造,适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。HN58V256ATI-12属于异步SRAM,工作电压为3.3V,具有宽温度范围,适合工业级应用。该封装形式为TSOP,便于在各种嵌入式系统中集成。

参数

容量:256Kbit
  组织结构:32K x 8
  电压供应:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  接口类型:并行
  最大工作频率:83MHz
  待机电流:最大10mA
  输出类型:三态

特性

HN58V256ATI-12 SRAM芯片采用先进的CMOS技术,具备高速存取能力和极低的功耗。其异步设计使得读写操作不受时钟限制,提高了系统的灵活性和响应速度。在高速模式下,该芯片的访问时间仅为12ns,能够满足实时数据处理的需求。此外,该芯片具有宽工作电压范围(2.3V至3.6V),适应多种电源环境,并在宽温度范围内保持稳定运行,适合工业控制、通信设备和消费电子产品等应用场景。HN58V256ATI-12还具备三态输出功能,在系统未选中该芯片时可将数据总线置于高阻状态,从而避免总线冲突,提高系统的可靠性。
  该芯片的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,非常适合空间受限的嵌入式系统设计。HN58V256ATI-12 的引脚兼容性设计也使其在替换和升级时更加方便。由于其优异的性能和广泛的适用性,HN58V256ATI-12 在工业自动化、智能仪表、网络设备等领域得到了广泛应用。

应用

HN58V256ATI-12 常用于需要高速数据缓存和临时存储的场合,如工业控制系统、通信设备、医疗仪器、智能仪表、网络路由器、数据采集系统等。由于其宽温度范围和高可靠性,该芯片也适用于恶劣环境下的嵌入式系统。

替代型号

IS61LV256AL-12T, CY62148EV30LL-12

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