时间：2025/9/7 11:36:38
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HN58V256ATI-12 是由 Renesas（瑞萨电子）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有256Kbit的存储容量，采用高性能CMOS技术制造，适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。HN58V256ATI-12属于异步SRAM，工作电压为3.3V，具有宽温度范围，适合工业级应用。该封装形式为TSOP，便于在各种嵌入式系统中集成。
容量：256Kbit
组织结构：32K x 8
电压供应：2.3V 至 3.6V
访问时间：12ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
接口类型：并行
最大工作频率：83MHz
待机电流：最大10mA
输出类型：三态
HN58V256ATI-12 SRAM芯片采用先进的CMOS技术，具备高速存取能力和极低的功耗。其异步设计使得读写操作不受时钟限制，提高了系统的灵活性和响应速度。在高速模式下，该芯片的访问时间仅为12ns，能够满足实时数据处理的需求。此外，该芯片具有宽工作电压范围（2.3V至3.6V），适应多种电源环境，并在宽温度范围内保持稳定运行，适合工业控制、通信设备和消费电子产品等应用场景。HN58V256ATI-12还具备三态输出功能，在系统未选中该芯片时可将数据总线置于高阻状态，从而避免总线冲突，提高系统的可靠性。
该芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，非常适合空间受限的嵌入式系统设计。HN58V256ATI-12 的引脚兼容性设计也使其在替换和升级时更加方便。由于其优异的性能和广泛的适用性，HN58V256ATI-12 在工业自动化、智能仪表、网络设备等领域得到了广泛应用。
HN58V256ATI-12 常用于需要高速数据缓存和临时存储的场合，如工业控制系统、通信设备、医疗仪器、智能仪表、网络路由器、数据采集系统等。由于其宽温度范围和高可靠性，该芯片也适用于恶劣环境下的嵌入式系统。
IS61LV256AL-12T, CY62148EV30LL-12
