时间：2025/12/25 13:04:59
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MMBZ6V8ALFHT116是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装齐纳二极管，采用SOD-123FL超小型封装。该器件专为低功率稳压和电压钳位应用设计，适用于需要精确电压调节和瞬态保护的便携式电子设备。其标称齐纳电压为6.8V，在测试电流条件下具有稳定的电压输出，能够有效防止下游电路因过压而损坏。该齐纳二极管具有低动态电阻和快速响应特性，适合用于电源管理、信号线路保护以及ESD防护等场景。
MMBZ6V8ALFHT116的SOD-123FL封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，并支持自动化贴片生产，广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及工业控制模块中。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代绿色电子制造的要求。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-123FL
齐纳电压Vz：6.8V
测试电流Iz：5mA
最大齐纳阻抗Zzt：10Ω
最大功率耗散：225mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
反向漏电流Ir：5μA @ 1V
稳压容差：±5%
制造商：onsemi (ON Semiconductor)
产品系列：MMBZ
MMBZ6V8ALFHT116齐纳二极管具备优异的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内维持精确的稳压性能。其核心优势之一是低动态阻抗（Zzt ≤ 10Ω），这意味着在负载变化或输入波动时，输出电压的变化极小，从而确保受保护电路的工作稳定性。此外，该器件在5mA的标准测试电流下提供6.8V的标称齐纳电压，且电压容差控制在±5%以内，保证了批次间的一致性与可靠性，适用于对精度要求较高的模拟和数字接口保护。
该齐纳二极管采用SOD-123FL封装，尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm，适合空间受限的应用场景。其小型化设计不仅节省PCB面积，还降低了寄生电感和电容，提升了高频响应能力，特别适用于高速信号线的瞬态抑制。同时，该封装具有良好的热传导性能，在不超过225mW的最大功耗前提下，可有效散热以维持长期运行的稳定性。
在可靠性方面，MMBZ6V8ALFHT116通过了严格的AEC-Q101认证（适用于汽车级应用），具备出色的抗湿性、机械强度和焊接兼容性。它能承受多次回流焊工艺而不影响电气性能。此外，该器件具有低反向漏电流（典型值为5μA @ 1V），在待机或低功耗模式下几乎不增加系统功耗，非常适合电池供电设备。结合其ESD耐受能力（可达IEC 61000-4-2 Level 4），该齐纳二极管可用于USB端口、音频接口、传感器信号线等易受静电干扰的节点保护。
总体而言，MMBZ6V8ALFHT116是一款高性能、高可靠性的表面贴装齐纳二极管，兼顾稳压精度、响应速度与环境适应性，是现代电子系统中理想的电压参考与过压保护元件。
广泛应用于便携式消费电子产品中的电源轨稳压与信号线保护，例如智能手机和平板电脑的USB接口过压保护、摄像头模组供电稳压、触摸屏控制器参考电压源等；也可用于工业传感器信号调理电路中作为钳位器件，防止感应电压导致MCU引脚损坏；此外，在汽车电子中的低压辅助系统（如信息娱乐系统的I/O保护）也有应用；适用于各类需要小型化、高效能齐纳二极管的高密度PCB设计场景。
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"MMBZ6V8ALT1G",
"PME6800,115",
"BZT52C6V8HE3-F",
"SZMM3Z6V8BT1G"
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