PMPB11R2VPX 时间：2025/9/14 15:00:06 阅读：9

PMPB11R2VPX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。PMPB11R2VPX 采用紧凑的 PowerFLAT 5x6 封装，适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：110A（在25°C）
　　导通电阻 Rds(on)：1.2mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PMPB11R2VPX 的主要特性之一是其极低的导通电阻 Rds(on)，典型值为 1.2mΩ，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件能够在高电流下稳定工作，最大连续漏极电流可达 110A，在高温环境下依然保持良好的性能。
　　此外，PMPB11R2VPX 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的热管理能力，能够有效散热，适用于高功率密度设计。该封装还支持双面散热，进一步提升器件的热性能。
　　该 MOSFET 具有较高的栅极电压耐受能力，最大栅源电压为 ±20V，允许在较宽的控制电压范围内工作，同时具有良好的抗干扰能力。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适合在恶劣环境中使用，如汽车电子、工业控制和电源转换系统。
　　PMPB11R2VPX 还具备快速开关特性，能够支持高频操作，减少开关损耗。此外，其优化的结构设计和制造工艺提高了器件的可靠性，降低了失效风险，使其适用于对稳定性和寿命要求较高的应用场合。

应用

PMPB11R2VPX 广泛应用于多种高功率、高效率的电子系统中。在汽车电子领域，该器件可用于 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统（BMS），支持电动汽车和混合动力汽车的高效能量管理。在工业自动化和电源管理方面，PMPB11R2VPX 适用于高效率开关电源（SMPS）、伺服电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。
　　此外，该 MOSFET 在新能源领域也具有广泛的应用，例如太阳能逆变器和储能系统，其低导通电阻和高电流承载能力有助于提升系统整体效率。由于其优异的热性能，PMPB11R2VPX 也常用于需要长时间高负载运行的工业设备，如工业电源模块和功率放大器。
　　在消费类电子产品中，PMPB11R2VPX 可用于高性能笔记本电脑适配器、服务器电源和高功率 LED 驱动器，满足高能效和小型化设计的需求。