时间：2025/7/10 6:05:45
阅读：14
CBR08C708C5GAC是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的GaN-on-Si技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性，适用于电源转换、DC-DC转换器和通信设备中的射频功率放大器等场景。
与传统硅基MOSFET相比，CBR08C708C5GAC能够显著提高系统效率并减小解决方案尺寸，特别适合对性能和体积要求较高的应用。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：25nC
反向恢复时间：40ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-263
CBR08C708C5GAC的主要特点是其超低的导通电阻和极快的开关速度，这使得它在高频操作下仍能保持高效率。此外，该器件还具有以下优势：
1. 高击穿电压确保了更高的安全裕度和可靠性。
2. 超低的栅极电荷减少了驱动损耗。
3. 优秀的热性能允许在高功率密度应用中使用。
4. 兼容标准硅基驱动电路，简化了设计过程。
这些特点使其成为高性能电源管理系统和通信设备的理想选择。
CBR08C708C5GAC广泛应用于需要高效能量转换和紧凑设计的场合，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电信基础设施中的功率放大器。
3. 工业设备中的DC-DC转换器。
4. 汽车电子系统的高效驱动模块。
5. 可再生能源逆变器中的关键组件。
由于其卓越的性能，这款器件非常适合用于下一代高频、高功率密度的电力电子应用。
CBR08C708C5GAD, CBR10C708C5GAC
