DMP1012UFDF是一款由Diodes Incorporated公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用微型DFN3020-8封装,具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度的特点,适合应用于便携式设备、计算机外设、消费类电子产品中的负载开关、DC/DC转换器以及电源管理电路中。
其小型化设计有助于节省PCB空间,同时具备良好的热性能和电气性能,能够满足现代电子设备对效率和尺寸的严格要求。
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±8V
连续漏极电流(Id):2.9A
导通电阻(Rds(on)):65mΩ(在Vgs=4.5V时)
栅极电荷(Qg):6nC
总功耗(Ptot):710mW
工作结温范围(Tj):-55℃至+150℃
DMP1012UFDF采用了先进的制造工艺,实现了超低的导通电阻和优秀的开关性能。它的小型DFN3020-8封装仅占0.04英寸2的空间,非常适合空间受限的应用场景。
此外,该器件还具有以下特点:
- 极低的导通电阻可减少传导损耗,提高整体系统效率。
- 快速的开关速度有助于降低开关损耗。
- 符合RoHS标准,环保且可靠。
- 提供了出色的静电放电(ESD)保护能力,增强了器件的鲁棒性。
这些特性使得DMP1012UFDF成为各种高效能、紧凑型应用的理想选择。
DMP1012UFDF适用于多种电子电路应用,包括但不限于:
- 消费类电子产品的电源管理模块。
- 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
- 计算机外设和USB接口保护电路。
- 各类DC/DC转换器和降压稳压器。
- 电池供电设备中的功率控制开关。
- 照明系统的驱动电路,如LED灯条的控制。
由于其高效的特性和小尺寸封装,这款MOSFET广泛用于需要高效率和小体积的设计方案中。
DMN2014UFDE, Si2300DY, BSS138