时间：2025/12/28 20:39:51
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P6SMB68AHM4G是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装双向瞬态电压抑制二极管（TVS），用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、电感负载切换和雷击浪涌等瞬态电压的损害。该器件具有快速响应时间、高浪涌吸收能力和低钳位电压等优点，适用于各类低压电子系统的保护。P6SMB68AHM4G采用SMB（DO-214AA）封装，适合在空间受限的应用中使用。
器件类型：双向TVS二极管
工作电压：68V
最大反向工作电压（Vrwm）：68V
击穿电压（Vbr）：75.6V（最小）～83.6V（最大）
最大钳位电压（Vc）：119V @ 3.35A
最大峰值脉冲电流（Ipp）：3.35A
最大反向漏电流（Ir）：10μA @ 68V
响应时间（tresp）：小于1.0ps
封装类型：SMB（DO-214AA）
P6SMB68AHM4G具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内将高能量的瞬态电压钳制在安全范围内，从而保护后级电路不受损坏。其双向导通特性适用于交流或正负双向电压保护，尤其适合用于电源线、数据线和接口电路的保护设计。该器件具有较高的浪涌耐受能力，能够在不损坏的情况下吸收高达3.35A的峰值电流，确保系统的稳定性。此外，P6SMB68AHM4G的低漏电流特性保证了在正常工作状态下对电路的影响极小，同时其紧凑的SMB封装结构有助于节省PCB空间，提高设计灵活性。
该TVS二极管符合IEC 61000-4-2和IEC 61000-4-5等国际电磁兼容标准，适用于工业、消费电子和通信设备等多种应用场景。其高可靠性设计使其能够在恶劣环境下稳定工作，提供长期稳定的保护性能。
P6SMB68AHM4G广泛应用于各类电子设备的瞬态电压保护，包括但不限于工业控制设备、通信设备、计算机及外设、汽车电子系统、家用电器、电源适配器以及数据通信线路等。在这些应用中，它可以有效保护敏感的集成电路和半导体器件免受静电放电、雷击浪涌、电感负载开关引起的瞬态高压冲击。
P6SMB68A, SMAJ68A, SMBJ68A
