类型：GaAs FET
　　工作频率：最高可达 12 GHz
　　噪声系数：0.6 dB（典型值，在 4 GHz）
　　增益：18 dB（典型值，在 4 GHz）
　　漏极电流：60 mA（典型值）
　　漏极-源极电压：10 V
　　输入输出阻抗：50 Ω
　　封装形式：表面贴装（SOT-343）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

MSM-8655-0-904PNSP-TR-03 具备出色的低噪声性能，噪声系数在 4 GHz 下仅为 0.6 dB，使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择。该器件在宽频率范围内提供稳定的增益表现，典型增益为 18 dB，且在 12 GHz 高频下仍能保持良好性能，适用于高频前端放大器设计。
　　该晶体管采用 GaAs 工艺制造，具备高电子迁移率和良好的线性度，支持在无线通信系统中实现较高的信号保真度。其漏极电流为 60 mA，工作电压为 10 V，可在较低功耗下实现高性能表现，适用于电池供电设备和便携式通信系统。
　　封装方面，MSM-8655-0-904PNSP-TR-03 采用 SOT-343 表面贴装封装，便于自动化生产和高频 PCB 设计，同时具备良好的热稳定性和高频匹配特性。该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级环境要求，适用于恶劣环境下的通信设备和户外基站系统。

MSM-8655-0-904PNSP-TR-03 主要用于低噪声放大器（LNA）设计，适用于无线基础设施、卫星通信、微波链路、测试与测量设备、雷达系统等高频应用领域。其优异的噪声性能和增益稳定性使其成为 4G/5G 基站、Wi-Fi 接入点、无线回传系统、GPS 接收机等设备中的关键组件。此外，该晶体管还可用于射频前端模块、天线放大器、频谱分析仪等需要高性能射频放大的设备。

MGA-63163, ATF-54143, BGA2893, BFU550HX