时间：2025/9/14 22:31:02
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PMN42XPEAX 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能电源管理和功率开关应用。这款MOSFET采用增强型P沟道设计，适用于低电压、高电流的电源转换系统，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：-10A
导通电阻（RDS(on)）：42mΩ @ VGS = -10V，65mΩ @ VGS = -4.5V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：DFN5x6
PMN42XPEAX 具备低导通电阻特性，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件在VGS为-10V时，RDS(on)仅为42mΩ，在VGS为-4.5V时也保持较低值65mΩ，这使其适用于需要低导通损耗的应用场景。
此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐久性，能够在高电流和高温环境下稳定工作。其封装形式为DFN5x6，具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
PMN42XPEAX 广泛应用于多个高功率密度系统中，例如便携式设备的电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器以及各种类型的负载开关电路。由于其具备高可靠性和良好的热性能，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车载信息娱乐系统（IVI）中的电源控制部分。此外，在工业自动化设备和服务器电源系统中，PMN42XPEAX 也因其高效的电能转换能力和稳定的性能表现而被广泛采用。
Si4435BDY-T1-GE3, IRF9Z24N, FDPF040N08A
