时间：2025/6/23 19:26:32
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EVK105CH2R2JW-F 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率转换芯片，主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器和无线充电应用。该器件采用增强型 GaN FET 技术，能够显著提升功率密度并降低系统损耗。此外，它还集成了驱动电路和保护功能，使得设计更加简单可靠。
这款芯片适合需要高性能、小尺寸解决方案的应用场景，例如快充适配器、数据中心电源模块以及消费类电子设备。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：3A
导通电阻：180mΩ
栅极阈值电压：1.8V
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装形式：QFN-8
EVK105CH2R2JW-F 具有以下主要特性：
1. 基于最新一代氮化镓技术，具备极低的导通电阻和开关损耗。
2. 内置栅极驱动优化电路，简化外部元件需求。
3. 提供过温保护（OTP）、过流保护（OCP）及欠压锁定（UVLO）等多重安全机制。
4. 支持高达 2MHz 的开关频率，有助于减小磁性元件体积。
5. 高可靠性设计，满足 JEDEC 标准测试要求。
6. 符合 RoHS 和 REACH 环保规范。
EVK105CH2R2JW-F 广泛应用于以下领域：
1. USB PD 快速充电器。
2. 高效 AC-DC 和 DC-DC 开关电源。
3. 消费类电子产品中的无线充电发射端。
4. 小型化适配器与电池管理系统。
5. 数据中心服务器的辅助电源单元。
6. LED 驱动器和其他便携式设备电源方案。
EPC2016C
GAN042-650WSA
IRFGB30N06S
