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IRFU540ZPBF 发布时间 时间:2025/6/12 16:08:54 查看 阅读:8

IRFU540ZPBF 是一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于需要高效功率转换和开关的场景中。
  IRFU540ZPBF 的设计使其能够在较高的电压下工作,并具备出色的热稳定性和可靠性,非常适合工业、汽车以及消费类电子应用中的负载切换、电源管理和逆变器等用途。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:7.8A
  导通电阻:0.32Ω
  栅极电荷:15nC
  功耗:60W
  结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

1. 高耐压能力:额定漏源电压高达 500V,适合高压环境下的开关应用。
  2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 0.32Ω,降低了导通损耗,提高了效率。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(15nC)确保了快速的开关速度,减少了开关损耗。
  4. 热稳定性:支持高结温范围(-55℃ 至 175℃),能够在恶劣环境下保持可靠运行。
  5. 小型封装:采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,节省电路板空间,同时便于散热管理。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业逆变器和变频器
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  7. LED 驱动器和其他功率管理应用

替代型号

IRFU540G, IRF540N, STP55NF06L

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IRFU540ZPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C35A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28.5 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1690pF @ 25V
  • 功率 - 最大91W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件