IRFU540ZPBF 是一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于需要高效功率转换和开关的场景中。
IRFU540ZPBF 的设计使其能够在较高的电压下工作,并具备出色的热稳定性和可靠性,非常适合工业、汽车以及消费类电子应用中的负载切换、电源管理和逆变器等用途。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:7.8A
导通电阻:0.32Ω
栅极电荷:15nC
功耗:60W
结温范围:-55℃ 至 175℃
1. 高耐压能力:额定漏源电压高达 500V,适合高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 0.32Ω,降低了导通损耗,提高了效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(15nC)确保了快速的开关速度,减少了开关损耗。
4. 热稳定性:支持高结温范围(-55℃ 至 175℃),能够在恶劣环境下保持可靠运行。
5. 小型封装:采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,节省电路板空间,同时便于散热管理。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业逆变器和变频器
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. LED 驱动器和其他功率管理应用
IRFU540G, IRF540N, STP55NF06L