时间：2025/8/6 8:30:55
阅读：31
IXBH28N170A是一款高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高压和高电流应用而设计。该器件由IXYS公司制造，属于其高压功率MOSFET产品线的一部分。IXBH28N170A采用TO-247封装，适用于需要高效率和高性能的工业级应用。该器件的额定电压为1700V，最大连续漏极电流为28A，适合用于高功率转换器、电机驱动器和电源系统。
类型：功率MOSFET
封装：TO-247
漏源电压(Vds)：1700V
最大连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.18Ω
栅极电荷(Qg)：典型值为140nC
工作温度范围：-55°C至150°C
最大功耗(Pd)：300W
IXBH28N170A具有多种优异的电气和热性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件的高击穿电压（1700V）确保了它可以在高压环境中稳定工作，同时其低导通电阻（0.18Ω）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下可靠运行。
该器件还具有较低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。这得益于其优化的内部结构设计和先进的制造工艺，使得开关过程中的能量损耗降到最低。IXBH28N170A的封装设计（TO-247）也提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下的热管理能力。
另一个显著的特性是其坚固的结构和优异的短路耐受能力，使其在异常工作条件下仍能保持稳定运行，从而提高了系统的可靠性和寿命。这些特性使得IXBH28N170A非常适合用于需要高可靠性和高性能的工业设备中。
IXBH28N170A广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于工业电源、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机和高频电源转换器。其高电压和高电流能力使其在电力电子领域中具有广泛的适用性，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。此外，该MOSFET也常用于高压DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路中。
IXBH28N170B, IXFH28N170, IXFH28N170A
