PH841-03010 时间：2025/5/22 1:00:13 阅读：4

PH841-03010是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于电源管理、电机驱动和开关应用等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特性，能够在高频和高效率的应用场景中表现出色。

参数

型号：PH841-03010
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vdss)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围(Ta)：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247

特性

PH841-03010具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为4mΩ，能够有效降低功率损耗。
　　2. 高额定电流（30A），适用于大功率负载的应用。
　　3. 快速开关速度，适合高频开关电源和逆变器等应用场景。
　　4. 良好的热稳定性和散热性能，可确保在高温环境下的可靠运行。
　　5. 支持宽范围的工作温度，从-55℃到+175℃，适应多种极端条件下的使用需求。
　　6. 封装采用标准TO-247，易于集成和安装，同时具备良好的机械强度和电气隔离性能。

应用

PH841-03010广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(Switching Power Supplies)，如AC/DC转换器和DC/DC变换器。
　　2. 电机驱动(Motor Drivers)，用于控制步进电机、无刷直流电机等。
　　3. 逆变器(Inverters)，如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 高效电能转换电路，如PFC（功率因数校正）电路。
　　6. 其他需要高效功率切换和驱动能力的电子设备。