IS64LV51216是一款高速低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造。该器件具有512K x 16位的存储容量,总共提供8兆位(8Mb)的存储空间。IS64LV51216采用了高性能的CMOS技术,使其在高速应用中表现出色,同时保持较低的功耗。该芯片通常用于需要高速数据存取和可靠性的应用场合,例如网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等。
容量:512K x 16 位
电压范围:2.3V 至 3.6V
访问时间:10 ns
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)或商业级(0°C 至 +70°C)
封装类型:54引脚TSOP、54引脚LCC等
封装尺寸:根据封装类型不同而异
功耗:典型值为180mA(待机模式下电流极低)
接口类型:并行异步接口
时序控制:支持异步读写操作
封装材料:符合RoHS标准的环保材料
IS64LV51216 SRAM芯片具备多项高性能和可靠性特性。其访问时间仅为10ns,适用于需要快速数据访问的高速系统设计。该器件采用低电压CMOS技术,在保证高速性能的同时,显著降低了功耗。在工作电压范围方面,IS64LV51216可以在2.3V到3.6V之间正常工作,适应不同的电源系统设计需求,提高系统的兼容性。此外,IS64LV51216提供了工业级和商业级两种温度版本,满足不同环境条件下的稳定运行。该芯片的多种封装形式(如TSOP和LCC)适应了不同PCB布局和空间限制的需求。
在功能方面,IS64LV51216支持异步读写操作,允许设计者灵活控制数据传输时序。其并行接口结构简化了与主控芯片(如微处理器、FPGA或ASIC)的连接。同时,芯片具备低待机电流特性,在系统处于空闲状态时可有效延长电池寿命,适用于便携式或低功耗要求的设备。此外,该SRAM芯片还具备高可靠性和抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中仍能稳定运行。
IS64LV51216广泛应用于对存储速度和稳定性要求较高的电子系统中。典型应用场景包括网络交换机和路由器的缓存存储、通信设备的数据缓冲区、工业控制系统中的临时数据存储、医疗设备中的实时数据处理、嵌入式系统的高速缓存以及测试设备中的数据采集缓冲等。此外,由于其低功耗特性和多种封装选择,IS64LV51216也适用于便携式电子产品和电池供电设备。
IS64LV51216-10T、IS64LV51216-10B、IS64LV51216A-10