2N1976是一款NPN型高频晶体管,广泛应用于射频(RF)和中频(IF)放大电路中。这款晶体管具有良好的高频性能和稳定性,适合用于通信设备、音频放大器以及其他需要高增益和低噪声的应用。2N1976采用TO-92封装,体积小,便于在各种电路中使用。
类型:NPN晶体管
最大集电极电流(IC):100 mA
最大集电极-发射极电压(VCE):30 V
最大集电极-基极电压(VCB):30 V
最大功耗(PD):300 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):约50-300(取决于工作条件)
2N1976的主要特性包括其优异的高频响应和低噪声性能,使其成为射频和中频放大器的理想选择。该晶体管能够在宽频率范围内保持稳定的增益,并且具有较低的失真水平,适合用于高保真音频放大器。此外,2N1976的封装形式(TO-92)使其易于安装,并具有良好的热稳定性。
该晶体管的另一个重要特性是其较高的电流增益(hFE),在不同工作条件下可达到50至300之间,提供灵活的设计选项。其低功耗特性也使其适用于电池供电设备。
2N1976还具有良好的温度稳定性和较强的抗干扰能力,能够在恶劣环境下正常工作。这使得它在工业控制和通信设备中得到广泛应用。
2N1976通常用于射频放大器、中频放大器和音频放大电路中。在通信设备中,它常用于前置放大器和信号增强器,以提高信号质量和接收灵敏度。此外,该晶体管也可用于低噪声放大器(LNA)和振荡器设计,特别是在调幅(AM)和调频(FM)收音机电路中。由于其良好的温度稳定性和低功耗特性,2N1976也适用于便携式电子设备和传感器电路中的信号放大。
2N1974, 2N1975, 2SC2270, BF199