PMK325AC6337MM-P是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于工业和汽车领域的高功率开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,能够在高频和高电压条件下保持卓越的性能表现。其设计适用于需要高效能和低损耗的场景,例如电机驱动、DC-DC转换器和电源管理等。
型号:PMK325AC6337MM-P
封装形式:PQFN
额定电压:650V
额ds(on)(最大):60mΩ
栅极电荷:40nC
工作温度范围:-55℃至175℃
导通电阻温升系数:0.9%/℃
PMK325AC6337MM-P具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗。
2. 高速开关能力,支持高达1MHz的工作频率。
3. 内置过流保护功能,增强系统的可靠性。
4. 出色的热性能设计,确保在极端温度条件下的稳定运行。
5. 符合AEC-Q101标准,适用于汽车级应用。
6. 提供优异的EMI性能,减少对外部电路的干扰。
7. 小型化封装,节省PCB空间。
PMK325AC6337MM-P广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子中的DC-DC转换器和电机控制。
2. 工业设备中的逆变器和伺服驱动系统。
3. 高效开关电源的设计与实现。
4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源应用。
5. LED照明驱动电路。
6. 各种需要高效率和高可靠性的功率转换解决方案。
PMK325AC6337MM-E, IRF840, FQP27N60