时间：2025/6/22 11:06:46
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FQP4N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。这款MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效功率控制的场景中。其高耐压和低导通电阻的特点使得它在高频开关应用中表现优异。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4.3A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：1.8Ω
功耗：15W
工作结温范围：-55℃ to 175℃
FQP4N60具有较高的耐压能力，能够承受高达600V的漏源电压，这使其非常适合高压应用环境。
同时，该器件的导通电阻较低，在4.5V的栅极驱动电压下，导通电阻仅为1.8Ω，从而降低了传导损耗。
FQP4N60还具备较快的开关速度，能够有效减少开关损耗，提高整体效率。
此外，其工作温度范围宽广，从-55℃到175℃，适合各种恶劣的工作环境。
FQP4N60主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 逆变器和其他电力电子设备中的功率管理部件。
IRF840, STP4NB60Z, FQPF4N60
