GDZJ33D 时间：2025/8/14 9:31:43 阅读：9

GDZJ33D 是一款由Giantec Semiconductor（巨微半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效能开关的应用中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适合用于中高功率的电路设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

GDZJ33D 具备多项优良特性，适用于高效率电源转换系统。其核心特性之一是低导通电阻（Rds(on)）仅为3.3mΩ，在Vgs=10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏源电压为30V，最大连续漏极电流可达80A，具备较强的电流承载能力。此外，GDZJ33D采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了开关性能，降低了开关损耗，同时具备良好的热稳定性，适合在高温环境下运行。
　　在可靠性方面，GDZJ33D具有较高的栅极电压耐受能力，最大栅源电压为±20V，增强了器件在复杂工作环境中的稳定性。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适应多种工业环境下的运行需求。TO-263（D2PAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于PCB布局和焊接，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和产品一致性。

应用

GDZJ33D 主要应用于高效率电源管理系统，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、电源分配系统、服务器电源、通信设备电源以及工业控制设备中的功率开关电路。由于其具备高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。在新能源领域，如电动车、太阳能逆变器等系统中，GDZJ33D也可作为主开关器件使用。此外，该MOSFET在消费类电子产品中也广泛用于电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源转换电路中。