时间：2025/8/14 20:56:13
阅读：2
PJSOT24CH是一种表面贴装型功率MOSFET晶体管，通常用于高功率应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。该器件采用SOT-223封装，具有较小的封装体积和良好的热性能，适用于高密度PCB设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：5.6A（最大）
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约24mΩ（典型值，具体取决于VGS）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-223
PJSOT24CH具备低导通电阻，可有效降低功率损耗并提高系统效率。其SOT-223封装形式提供了良好的散热性能，适用于空间受限的设计。该MOSFET具有高电流能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下稳定运行。此外，它具备快速开关特性，适用于高频开关应用，例如同步整流和PWM控制电路。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路。
PJSOT24CH广泛应用于各类电源管理系统，如DC-DC降压/升压转换器、电池充电电路、负载开关控制、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，它也常用于消费类电子产品中的高效能电源管理方案。
Si2400CDT-E3, AO3400A, IRLML2402, FDS6680
