时间：2025/7/8 11:07:15
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S-80843CNNB-B84-T2是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。此外，它还具有优异的热性能和抗浪涌能力，适合在严苛的工作环境中使用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：52A
导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
栅极电荷(Qg)：65nC
开关时间：开通时间(t_on)=18ns，关断时间(t_off)=32ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 低导通电阻：Rds(on)仅为1.4mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力：持续漏极电流高达52A，适用于大功率应用。
3. 快速开关性能：极低的栅极电荷和开关时间确保高效的高频操作。
4. 良好的热稳定性：能够在极端温度条件下稳定运行，适合工业及汽车级应用。
5. 强大的抗浪涌能力：能承受较高的瞬态电压和电流冲击，增强器件可靠性。
6. 小型封装设计：节省PCB空间，便于高密度电路布局。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC转换器中的功率MOSFET。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业控制设备中的功率调节器。
6. 汽车电子系统中的各种功率切换场景。
S-80843CNNB-B84-T3, IRF840, FQP50N06L
