S-80843CNNB-B84-T2是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。此外,它还具有优异的热性能和抗浪涌能力,适合在严苛的工作环境中使用。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):52A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ
栅极电荷(Qg):65nC
开关时间:开通时间(t_on)=18ns,关断时间(t_off)=32ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 低导通电阻:Rds(on)仅为1.4mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统效率。
2. 高电流处理能力:持续漏极电流高达52A,适用于大功率应用。
3. 快速开关性能:极低的栅极电荷和开关时间确保高效的高频操作。
4. 良好的热稳定性:能够在极端温度条件下稳定运行,适合工业及汽车级应用。
5. 强大的抗浪涌能力:能承受较高的瞬态电压和电流冲击,增强器件可靠性。
6. 小型封装设计:节省PCB空间,便于高密度电路布局。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC转换器中的功率MOSFET。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业控制设备中的功率调节器。
6. 汽车电子系统中的各种功率切换场景。
S-80843CNNB-B84-T3, IRF840, FQP50N06L