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S-80843CNNB-B84-T2 发布时间 时间:2025/7/8 11:07:15 查看 阅读:11

S-80843CNNB-B84-T2是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。此外,它还具有优异的热性能和抗浪涌能力,适合在严苛的工作环境中使用。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):52A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ
  栅极电荷(Qg):65nC
  开关时间:开通时间(t_on)=18ns,关断时间(t_off)=32ns
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 低导通电阻:Rds(on)仅为1.4mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高电流处理能力:持续漏极电流高达52A,适用于大功率应用。
  3. 快速开关性能:极低的栅极电荷和开关时间确保高效的高频操作。
  4. 良好的热稳定性:能够在极端温度条件下稳定运行,适合工业及汽车级应用。
  5. 强大的抗浪涌能力:能承受较高的瞬态电压和电流冲击,增强器件可靠性。
  6. 小型封装设计:节省PCB空间,便于高密度电路布局。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率开关。
  3. DC-DC转换器中的功率MOSFET。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 工业控制设备中的功率调节器。
  6. 汽车电子系统中的各种功率切换场景。

替代型号

S-80843CNNB-B84-T3, IRF840, FQP50N06L

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S-80843CNNB-B84-T2参数

  • 制造商Seiko Instruments
  • 产品种类电压监测器/监控器
  • 监测电压数1
  • 监测电压0.8 V to 6 V
  • 输出类型Open Drain
  • 欠电压阈值4.3 V
  • 工作电源电压0.65 V to 5 V
  • 工作电源电流0.8 uA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 封装 / 箱体SC-82AB
  • 安装风格SMD/SMT
  • 人工复位No
  • 最小工作温度- 40 C
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量3000
  • 监视器No