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FDS8928A 发布时间 时间:2025/4/30 16:07:31 查看 阅读:23

FDS8928A是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的制造工艺设计,旨在提供高效率和低导通电阻的性能。该器件适用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用场合。其出色的电气特性使其成为高频开关应用的理想选择。
  FDS8928A采用TO-252封装形式,具有良好的散热性能,并且能够承受较高的漏源电压。该器件的栅极阈值电压较低,便于与逻辑电平信号直接兼容,从而简化了电路设计。

参数

漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1V~2V
  总功耗(Ptot):1.2W
  工作温度范围(Ta):-55℃~150℃

特性

FDS8928A具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 低栅极电荷,支持高频开关操作。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  5. 支持逻辑电平驱动,无需额外的栅极驱动电路,节省空间和成本。
  6. TO-252小型化封装,适合紧凑型设计需求。

应用

FDS8928A广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  3. 各类负载开关和保护电路。
  4. 小型电机驱动及控制。
  5. LED照明驱动电路。
  6. 汽车电子系统的辅助电路中作为功率开关使用。

替代型号

FDP5802, IRFZ44N, AO3400

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FDS8928A参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V,20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5A,4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 5.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 10V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS8928ATR