FDS8928A是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的制造工艺设计,旨在提供高效率和低导通电阻的性能。该器件适用于各种开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用场合。其出色的电气特性使其成为高频开关应用的理想选择。
FDS8928A采用TO-252封装形式,具有良好的散热性能,并且能够承受较高的漏源电压。该器件的栅极阈值电压较低,便于与逻辑电平信号直接兼容,从而简化了电路设计。
漏源电压(Vds):60V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th)):1V~2V
总功耗(Ptot):1.2W
工作温度范围(Ta):-55℃~150℃
FDS8928A具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 低栅极电荷,支持高频开关操作。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
5. 支持逻辑电平驱动,无需额外的栅极驱动电路,节省空间和成本。
6. TO-252小型化封装,适合紧凑型设计需求。
FDS8928A广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括适配器和充电器。
2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 小型电机驱动及控制。
5. LED照明驱动电路。
6. 汽车电子系统的辅助电路中作为功率开关使用。
FDP5802, IRFZ44N, AO3400