时间：2025/8/14 15:09:30
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PJS6405_S1_00001是一款由PanJit Semiconductor生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高效率、高频率的电源转换应用。这款器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的导通和开关性能，适用于诸如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。该器件封装为DFN5x6，提供了良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值，在VGS=10V）
功率耗散：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：DFN5x6
PJS6405_S1_00001功率MOSFET具备多项优良特性，使其在高性能电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，高电流承载能力（120A）使其适用于高功率密度的设计。此外，该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了卓越的开关性能，降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。DFN5x6封装具有优异的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定性。该器件的宽工作温度范围（-55°C至175°C）确保了其在极端环境下的可靠运行。最后，±20V的栅源电压耐受能力提高了器件在高压应用中的稳定性和耐用性。
PJS6405_S1_00001广泛应用于多种电源管理和功率转换系统。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备。其高效率和高频率特性使其成为高性能电源解决方案的理想选择，同时也适用于汽车电子、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。
SiR142DP-T1-GE3, IPPB90N06S4-03, FDS6680
