时间：2025/7/9 18:23:28
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LM-NUP4202W1T2G-N 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，广泛应用于高频电源转换和高效率电路设计。该芯片采用先进的封装技术，能够显著提高功率密度并降低系统能耗。
该型号为增强型 GaN 场效应晶体管（e-mode HEMT），具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热性能，非常适合需要高性能功率管理的应用场景。
额定电压：650V
额定电流：42A
导通电阻：42mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：1780pF
最大工作温度：175°C
封装形式：TO-247-4L
LM-NUP4202W1T2G-N 具备以下主要特性：
1. 高击穿电压能力（650V），适用于宽范围输入电压的应用环境。
2. 极低的导通电阻（42mΩ），有助于减少传导损耗并提升整体效率。
3. 快速开关速度，有效降低开关损耗，支持高频运行。
4. 内置过温保护功能，提高系统可靠性。
5. 良好的热稳定性，适合长时间连续工作。
6. 小尺寸封装，便于在紧凑空间中使用。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该芯片适用于多种高要求的电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动汽车充电桩
3. 太阳能逆变器
4. 工业电机驱动
5. 数据中心服务器电源
6. 无线充电设备
其高效率和高频运行能力使得 LM-NUP4202W1T2G-N 成为现代高效电源解决方案的理想选择。
LM-NUP4202W1T2G-H, LM-NUP4202W1T2G-L
