时间：2025/5/7 9:26:28
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IRF200P222是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）设计和生产。该器件适用于高电压、高效率的开关应用，广泛用于电机驱动、开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。其采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效减少能量损耗并提升系统性能。
IRF200P222属于P沟道增强型MOSFET，支持高侧开关配置，特别适合于负载切换、电池保护和反向电流保护等应用。
最大漏源电压：-100V
连续漏极电流：-9.2A
导通电阻（Rds(on)）：3Ω（典型值，Vgs=-10V时）
栅极电荷：28nC（最大值）
总功耗：14W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
IRF200P222具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，可承受高达100V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻，在特定的工作条件下（如Vgs=-10V时），其典型导通电阻仅为3Ω，从而减少了传导损耗。
3. 快速开关速度，通过优化的栅极电荷设计，提高了效率并降低了开关损耗。
4. 广泛的工作温度范围，使其适用于各种严苛的工业和汽车环境。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 强大的散热性能，得益于TO-263封装的大面积金属垫片设计，可以有效将热量散发到PCB板上。
IRF200P222因其卓越的性能被广泛应用于多个领域：
1. 开关电源中的高侧开关或同步整流元件。
2. 电机控制电路中的驱动开关。
3. DC-DC转换器的主开关元件。
4. 各种电池管理系统中的负载切换和保护功能。
5. 汽车电子设备中对高可靠性要求的开关应用。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRF9540N, IRF5305, IRF630
