DS1225Y-70 时间：2025/4/29 13:36:36 阅读：3

DS1225Y-70 是一款双通道非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)，具有两个独立的存储阵列，支持字节宽度和字宽度两种配置。该芯片采用 Dallas Semiconductor 的专利技术，结合了 SRAM 的高速度与 EEPROM 的非易失性特性。它内置锂电池或外部电容器作为备用电源，在主电源断电时可保持数据完整性。
　　DS1225Y-70 还具备自动切换功能，能够在主电源正常工作时使用 SRAM 模式，而在断电时无缝切换到非易失性模式保存数据。这种设计非常适合需要高可靠性和频繁写入的应用场景。

参数

存储容量：2K x 8 bits（16Kb）
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　备用电源电压：2.0V 至 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　访问时间：70ns
　　封装形式：DIP-8, SOIC-8
　　数据保留时间：10年（典型值）
　　写入周期：无限制（SRAM 模式下）
　　非易失性写入时间：小于 10ms

特性

DS1225Y-70 具有以下主要特性：
　　1. 双通道结构，允许同时操作两个独立的存储阵列。
　　2. 高速访问能力，访问时间为 70ns，适合实时数据记录和处理。
　　3. 自动电源切换功能，无需外部控制逻辑即可实现主电源和备用电源之间的平滑过渡。
　　4. 内置保护机制，防止在电源波动期间发生数据丢失或损坏。
　　5. 支持无限次写入（在 SRAM 模式下），避免了传统 EEPROM 的写入次数限制问题。
　　6. 封装小巧，便于集成到空间受限的设计中。

应用

DS1225Y-70 广泛应用于对数据可靠性要求较高的领域，包括但不限于：
　　1. 工业自动化设备中的参数存储。
　　2. 医疗仪器的数据记录功能。
　　3. 电力监控系统中的事件日志保存。
　　4. POS 机和金融终端的关键交易信息备份。
　　5. 测量仪器的校准数据存储。
　　6. 嵌入式系统中的临时缓存及长期存储解决方案。