时间：2025/8/14 11:09:13
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PJQ4848P_R2_00001是一款由PanJit（强茂）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等电力电子系统中。该MOSFET采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合于对性能和可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：14A（在Tc=25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：56A
导通电阻（RDS(on)）：最大值12.5mΩ（在VGS=10V）
功耗（PD）：80W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：PowerPAK SO-8
PJQ4848P_R2_00001具有多项优异的电气和热性能，适用于高性能电源系统。首先，其导通电阻非常低，在VGS=10V时最大仅为12.5mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达14A，同时允许高达56A的脉冲电流，使其适用于高负载应用场景。
此外，该MOSFET采用了PowerPAK SO-8封装，具有优良的热管理能力，能够有效散热，提高系统稳定性。封装体积小，便于PCB布局并节省空间，适合高密度电路设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动电压，兼容多种栅极驱动IC，增强了设计灵活性。
在可靠性方面，PJQ4848P_R2_00001的工作温度范围为-55℃至+150℃，适用于各种恶劣环境。其漏源击穿电压为40V，确保在大多数低压系统中具有良好的安全裕量。器件内部结构优化，减少了开关损耗，适用于高频开关电源和同步整流应用。
值得一提的是，该MOSFET具备较高的dv/dt耐受能力，有助于减少开关过程中电压变化率带来的EMI问题，提高系统的电磁兼容性。整体而言，PJQ4848P_R2_00001是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于需要高效能和稳定性的电源管理系统。
该器件适用于多种电源管理与功率控制应用。常见应用场景包括同步降压/升压DC-DC转换器、锂电池保护电路、负载开关、服务器电源、适配器、电源管理模块、LED照明驱动电路以及电机控制电路等。在这些应用中，PJQ4848P_R2_00001能够提供高效的功率转换，降低导通损耗，提升系统整体能效。
由于其优异的热性能和小尺寸封装，该MOSFET也广泛应用于便携式电子设备和嵌入式系统中的电源管理部分，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和智能穿戴设备等。此外，在工业自动化和电机驱动系统中，该器件可用于H桥驱动、马达控制及功率开关电路，实现高效率、高稳定性的功率控制。
SiSS14DN, NexFET CSD17551Q2, AO4848, FDS6680, IPD90N03S4-07
