AZC199-04SC 时间：2025/5/29 18:54:10 阅读：19

AZC199-04SC是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。它采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合在高频和高效率的应用场景下使用。
　　该器件具有出色的热性能和电气性能，能够承受较高的电流负载，并提供稳定的输出表现。同时，其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压：100V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：30A
　　导通电阻：4mΩ（典型值）
　　栅极电荷：80nC（典型值）
　　开关时间：ton=25ns，toff=15ns
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

AZC199-04SC的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高整体效率。
　　2. 高速开关能力，适用于高频开关电源和逆变器。
　　3. 强大的过流保护功能，增强了系统的可靠性和安全性。
　　4. 优异的热稳定性，能够在高温环境下长期稳定运行。
　　5. 紧凑的封装设计，节省了印刷电路板的空间占用。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制成。

应用

该芯片主要应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
　　2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)的核心元件。
　　3. 各类电机驱动电路，如步进电机、伺服电机等。
　　4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
　　5. 汽车电子系统中的负载切换控制。
　　6. 工业自动化设备中的电源管理和信号传输部分。