AZC199-04SC是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。它采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适合在高频和高效率的应用场景下使用。
该器件具有出色的热性能和电气性能,能够承受较高的电流负载,并提供稳定的输出表现。同时,其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:100V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:30A
导通电阻:4mΩ(典型值)
栅极电荷:80nC(典型值)
开关时间:ton=25ns,toff=15ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220
AZC199-04SC的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力,适用于高频开关电源和逆变器。
3. 强大的过流保护功能,增强了系统的可靠性和安全性。
4. 优异的热稳定性,能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 紧凑的封装设计,节省了印刷电路板的空间占用。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料制成。
该芯片主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)的核心元件。
3. 各类电机驱动电路,如步进电机、伺服电机等。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
5. 汽车电子系统中的负载切换控制。
6. 工业自动化设备中的电源管理和信号传输部分。
AZC199-04SD, IRFZ44N, FDP5570N