时间：2025/8/6 16:52:35
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INN3165C-H114-TL 是由 Power Integrations 公司生产的一款高性能集成式离线反激变换器芯片，主要用于电源适配器、充电器和低功耗电源转换应用。该芯片采用先进的集成技术，将高压功率MOSFET、控制器和次级侧反馈电路集成在一个封装中，显著减少了外围元件数量，提高了系统可靠性和效率。INN3165C 属于 InnoSwitch?3 系列产品，支持准谐振和CCM/DCM模式，适用于宽输入电压范围的离线电源设计。
类型：集成离线反激变换器
输入电压范围：85 VAC 至 265 VAC
输出功率范围：典型值为 20 W（根据设计可扩展）
开关频率：可变频率，支持准谐振和固定频率模式
控制模式：初级侧控制 + 次级侧同步整流反馈
集成MOSFET：内置高压MOSFET（725 V耐压）
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：InSOP-24D
效率等级：满足CoC Tier 2和DoE Level VI能效标准
INN3165C-H114-TL 的核心特性在于其高度集成的架构，将初级侧控制器、高压MOSFET 和次级侧同步整流控制器集成于同一芯片中，极大简化了电路设计并减少了元件数量。该芯片采用了 Power Integrations 独家的 FluxLink? 技术，实现了次级侧到初级侧的数字通信，从而省去了传统设计中的光耦合器，提升了系统的可靠性和稳定性。此外，INN3165C 支持多种工作模式，包括准谐振模式（QR）、连续导通模式（CCM）和非连续导通模式（DCM），以优化轻载和满载条件下的效率表现。芯片内置多种保护功能，如过温保护（OTP）、过电压保护（OVP）、过流保护（OCP）以及输入欠压保护（Brown-in/Brown-out Protection），确保了电源系统的安全性与稳定性。
该芯片还具有出色的能效表现，在宽负载范围内都能保持高效率，支持高达 94% 的峰值效率，适用于需要高能效和低待机功耗的应用场景。INN3165C 的设计简化了电源系统的EMI（电磁干扰）处理，降低了设计复杂度和成本。此外，该芯片的封装采用环保材料，符合 RoHS 标准，适用于各种绿色电子产品的设计需求。
INN3165C-H114-TL 主要应用于以下领域：智能手机和平板电脑的充电器适配器、USB PD 电源适配器、智能家居设备电源、工业控制电源、LED 照明驱动电源、医疗设备电源等低功率离线电源转换系统。由于其高集成度和优异的能效表现，特别适合对空间、效率和可靠性要求较高的应用场合。
INN3166C-H114-TL, INN3167C-H114-TL, INN3265C-H114-TL
