CXM4006ER 是一款由COSMO Electronics Corporation生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于各类开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。CXM4006ER采用先进的沟槽式工艺制造,具有优异的电性能和可靠性,适用于中高功率应用环境。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):60A
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大12mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):200W
工作温度范围:-55°C至+175°C
CXM4006ER MOSFET具有多项优异的电气和热性能,首先其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。其次,该器件具备高电流承载能力和优异的热稳定性,能够在高功率密度环境下稳定运行。此外,CXM4006ER的封装设计优化了散热性能,增强了器件在高负载条件下的可靠性。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力,有助于提高系统的安全性和稳定性。最后,CXM4006ER采用了先进的沟槽式工艺,提高了器件的开关速度,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。
CXM4006ER的栅极驱动电压范围宽,支持4V至10V之间的稳定导通,使其适用于多种驱动电路设计。该器件的雪崩能量承受能力也较强,能够在非正常工作条件下提供额外的保护。此外,由于其低输入电容和跨导特性,CXM4006ER在高频应用中表现出色,适用于同步整流、高效电源转换等场景。
CXM4006ER MOSFET主要应用于各类功率电子设备中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、电动工具、电机驱动器、负载开关、服务器电源、工业自动化设备以及新能源系统如光伏逆变器和储能系统等。由于其优异的导通和开关性能,该器件在高效率、高功率密度的设计中具有显著优势。
SiHF40N100YY, IXFN60N100P, FDPF40N100S, SPW40N100C3