时间：2025/6/27 12:29:02
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IPFH6N03LAG 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沱道场效应晶体管（N-Channel MOSFET）。该器件采用 LFPAK56D 封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率切换的电路中。
这款 MOSFET 以其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性著称，能够有效降低功耗并提高系统效率。此外，其封装设计使其具备良好的散热性能，适合高密度贴片应用环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：37nC（典型值）
总电容（Ciss）：2390pF（典型值）
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK56D
IPFH6N03LAG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提升整体能效。
2. 快速的开关速度，适用于高频应用场合。
3. 高额定电流能力（28A 连续漏极电流），确保在大电流条件下稳定运行。
4. LFPAK56D 封装提供出色的热性能和电气性能，并且兼容自动表面贴装工艺。
5. 宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种严苛环境下的应用需求 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 具备优异的雪崩能力和静电防护性能，增强可靠性。
IPFH6N03LAG 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 各种消费类电子产品的高效功率转换方案。
由于其低导通电阻和高电流承载能力，这款 MOSFET 在需要高性能功率管理的场景中表现尤为出色。
IPD048N03LH_G1, IPD100N03L_H1
