时间：2025/9/3 0:19:12
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2N2481A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电路和功率控制等应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高性能的电子系统中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：≤0.8Ω
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
2N2481A具有优异的电气性能和可靠性。其低导通电阻确保在导通状态下损耗最小，从而提高系统效率。
该器件的高耐压能力（200V）使其适用于多种高压应用场景，如开关电源、电机控制和照明系统。
此外，2N2481A具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作，增强了其在恶劣工业环境中的适用性。
由于其TO-220封装设计，安装简便，散热性能良好，适用于多种电路板布局。
整体而言，2N2481A是一款性价比高、稳定可靠的功率MOSFET，适合用于各种中高功率电子设备。
2N2481A广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制系统、工业自动化设备以及各种需要高效率功率开关的电路中。
IRF540, 2N6756, FDPF6N20, 2N2482
