类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：20A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：10mΩ（最大值）
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：FCI
　　功率耗散(Pd)：83W
　　输入电容(Ciss)：1400pF（典型值）
　　导通延迟时间(td(on))：12ns
　　上升时间(tr)：40ns
　　关断延迟时间(td(off))：35ns
　　下降时间(tf)：25ns

KT63156B1/FCI MOSFET采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效的开关性能。其导通电阻典型值为10mΩ，能够在高电流应用中显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于高负载条件下的持续工作。FCI封装技术不仅提供了紧凑的外形尺寸，还优化了封装的电气性能，减少了寄生电感，提高了高频应用中的稳定性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，能够在不同控制电路中灵活应用。其输入电容较小，有助于减少驱动损耗，提高开关速度。同时，KT63156B1/FCI具有良好的抗雪崩能力和过载保护功能，增强了器件在严苛环境下的可靠性和耐用性。

KT63156B1/FCI主要用于电源管理和功率控制领域，典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品，如笔记本电脑、服务器和通信设备的电源管理单元。

Si7315DP-T1-GE3, FDS6680, IPB021N06N3 G, FDN340P