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SPHE8202RQ-D-HL118 发布时间 时间:2025/5/9 9:45:25 查看 阅读:7

SPHE8202RQ-D-HL118是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。其设计目标是为需要高效能和高可靠性的应用提供解决方案。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  电压(Vds):60V
  电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  功耗:250W
  封装形式:TO-247

特性

SPHE8202RQ-D-HL118的主要特点是其超低的导通电阻(仅2.5毫欧),这使得它在高电流应用中能够显著降低传导损耗并提高效率。
  此外,该器件还具有快速的开关速度,可有效减少开关损耗,并且具备良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  其60V的额定电压使其适用于多种工业和汽车级应用,而35A的最大电流能力则支持大功率负载的需求。
  该芯片还内置了过流保护和热关断功能,从而增强了系统的安全性和可靠性。

应用

SPHE8202RQ-D-HL118主要应用于DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关、逆变器以及各种类型的电源管理模块中。
  在汽车电子领域,它可以用于电动窗、座椅调节、冷却风扇等系统中的电机驱动;在工业自动化方面,这款芯片适合用作伺服电机驱动或机器人控制器中的关键元件。
  此外,由于其高效的能量转换能力,SPHE8202RQ-D-HL118也常见于太阳能逆变器和其他绿色能源设备中。

替代型号

SPHE8201RQ-D-HL118, IRF840, FDP5500

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