时间：2025/8/15 0:58:30
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PJE8404是一款由PanJIT Semiconductor（强茂半导体）生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET专为高效率、高性能的电源管理和功率转换应用而设计，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等多种场景。PJE8404采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），具有较小的封装体积和良好的热性能，适合在空间受限的电路设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.4A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值28mΩ（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOP
晶体管配置：单MOSFET
PJE8404的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。其Rds(on)最大为28mΩ，且在不同的工作温度下保持稳定，确保了MOSFET在各种应用环境中的性能一致性。此外，PJE8404的漏源电压为30V，能够在中等电压范围内稳定工作，适用于多种电源管理应用。
该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具备良好的栅极驱动兼容性，可以与常见的驱动电路配合使用，确保稳定的开关性能。其连续漏极电流能力为4.4A，在25°C环境温度下可提供足够的电流支持，适用于需要较高电流承载能力的系统。
PJE8404采用TSOP封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合在高密度PCB设计中使用。这种封装形式不仅有助于节省电路板空间，还能提供良好的热管理能力，确保MOSFET在高负载条件下保持稳定运行。此外，其工作温度范围广泛，可在-55°C至150°C之间正常工作，适应性强，适用于工业级和汽车电子等多种应用场景。
该器件的功耗为2.5W，在高效能应用中表现出色。通过优化的沟槽式MOSFET结构设计，PJE8404在开关过程中具有较低的开关损耗，进一步提升了整体能效。这使其成为适用于需要高效能、高稳定性的电源转换和控制系统的理想选择。
PJE8404广泛应用于各类电源管理系统中，特别是在DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中表现出色。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET适用于便携式电子产品、电池管理系统、LED照明驱动电路以及电机控制模块。
在DC-DC转换器中，PJE8404可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提高转换效率并减少发热。在同步整流电路中，它可以替代传统二极管以降低导通压降，从而提升整流效率。此外，在负载开关应用中，PJE8404能够作为高侧或低侧开关，实现对负载的快速控制与保护。
在工业自动化和汽车电子领域，PJE8404也可用于电源管理模块、电机驱动电路以及各种需要高效能功率开关的系统。其宽工作温度范围和良好的热稳定性，使其能够在严苛的工业环境中可靠运行。
Si2302DS, AO3400A, FDN340P, BSS138
