时间：2025/8/5 14:53:51
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IXFA10N80P-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高功率的应用场合。这款MOSFET设计用于需要高效能、高可靠性和高电压处理能力的电源管理与功率转换系统。其额定电压为800V，额定电流为10A，非常适合用于开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器、LED照明驱动器和其他高电压应用场景。该器件采用TO-263封装（也称为D2PAK），支持表面贴装技术（SMT），便于在高密度PCB布局中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电压（VDSS）：800V
漏极电流（ID）：10A（连续）
栅极-源极电压（VGS）：±30V
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.72Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：典型值50nC
输入电容（Ciss）：典型值1300pF
封装类型：TO-263（D2PAK）
安装类型：表面贴装
IXFA10N80P-TRL 是一款高性能的功率MOSFET，具有多项优异的电气特性和机械封装特性，适用于各种高电压和高功率应用。
首先，该MOSFET的最大漏极电压（VDSS）为800V，漏极电流（ID）为10A，使其能够承受高电压和中等电流的负载需求，适用于高压电源转换和电机控制等应用。其栅极-源极电压范围为±30V，提供了良好的栅极控制能力，并允许使用标准的驱动电路进行控制。
其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）典型值为0.72Ω，这有助于降低导通损耗，提高能效。同时，其栅极电荷（Qg）较低，典型值为50nC，这有助于减少开关损耗，从而在高频开关应用中实现更高的效率。
此外，IXFA10N80P-TRL 采用TO-263（D2PAK）封装，这是一种高功率能力的表面贴装封装形式，具有良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。该封装支持PCB上的自动贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。
IXFA10N80P-TRL 主要应用于需要高电压和中等电流控制的功率电子系统。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明电源、工业自动化设备、UPS（不间断电源）以及各种高压电源管理系统。由于其高电压能力和表面贴装封装，特别适合用于紧凑型高功率密度的设计中。
IXFA10N80P-TRL 可以被以下型号替代，如 IXFP10N80P、IRF820、FQA10N80C、STF10N80、APT10N80B等。这些型号在性能和封装方面具有相似的参数，但在具体应用中需要根据设计需求进行验证。
