类型：光耦合器（光电晶体管输出）
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（取决于输入电流）
　　最大正向电流（IF）：60mA
　　最大反向电压（VR）：5V
　　集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　工作温度范围：-55°C～+125°C
　　封装类型：DIP-4
　　隔离电压：5000Vrms
　　响应时间：约10μs

ERE76-04M 光耦合器具备多个重要特性，使其在多种电子系统中广泛使用。首先，它提供了高达 5000Vrms 的电气隔离电压，确保了输入和输出电路之间的高安全性，有效防止高压干扰或损坏下游电路。其次，其电流传输比（CTR）在50%到600%之间变化，表明该器件在不同输入电流下依然能保持良好的信号传输能力，适用于多种控制和检测电路。
　　此外，该器件采用 DIP-4 封装形式，具有良好的机械稳定性和安装兼容性，便于在各种 PCB 板上进行布局和焊接。工作温度范围宽达 -55°C 至 +125°C，适合在恶劣工业环境中使用。ERE76-04M 的响应时间约为 10μs，具备较快的信号响应能力，适用于中高速信号隔离应用。
　　该光耦的集电极-发射极最大耐压为 30V，允许其在多种电源电压环境下工作。最大正向电流为 60mA，设计时需注意限流电阻的配置以避免 LED 损坏。其反向电压额定值为 5V，因此在输入端设计时应避免反向电压过高。

ERE76-04M 主要用于需要电气隔离的场合，例如工业自动化控制系统中的信号隔离、电源管理系统中的反馈检测、变频器和伺服电机控制电路、通信设备中的信号中继等。此外，该光耦也常见于医疗电子设备、测试仪器、家电控制电路以及各类嵌入式系统中，用于隔离数字信号或模拟信号，提高系统的稳定性和安全性。

TLP521-4,TLP621-4,PC817-4