时间：2025/6/3 10:39:50
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PIX90032NQ是一款高性能的MOSFET功率晶体管，属于IXYS公司的TrenchFET系列。该器件采用了先进的沟槽式工艺技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点，广泛应用于各种功率转换和电机驱动场景。
该器件为N沟道增强型MOSFET，适用于高频DC-DC转换器、开关电源、逆变器、电动工具以及工业控制等领域。其出色的电气特性使得PIX90032NQ成为许多高效率、紧凑型设计的理想选择。
型号：PIX90032NQ
VDS（漏源极电压）：900V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：320mΩ
ID（连续漏极电流）：5.4A
Ptot（总功耗）：180W
fSW（最大工作开关频率）：100kHz
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220AC
PIX90032NQ具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：高达900V的漏源极电压使其适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：典型值仅为320mΩ，降低了导通损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关性能：优化的栅极电荷设计确保了高效的开关切换。
4. 热稳定性强：采用先进的封装技术和芯片结构，具备良好的散热能力。
5. 小尺寸封装：TO-220AC封装在提供高功率处理能力的同时保持了较小的体积，方便布局设计。
6. 工作温度范围广：支持从-55℃到+150℃的结温范围，适应多种极端环境条件。
7. 高可靠性：经过严格的测试和验证，保证了长期使用的稳定性和耐用性。
PIX90032NQ的应用领域包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器和UPS系统
3. 电机驱动和控制
4. DC-DC转换器
5. 工业自动化设备
6. 电动工具和家用电器
7. 能量存储系统中的充放电管理
其高压和高效特性使它特别适合需要高功率密度和高可靠性的应用场景。
IXTN90N10P2, IRFP460, STW120N10MD
