IPB100N04S3-03 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET),属于 OptiMOS 系列。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等特性,非常适合用于各种开关应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 PQFN3333-10L(3.3x3.3mm),非常适用于对空间要求严格的紧凑型设计。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:100A
导通电阻(典型值):1.3mΩ
栅极电荷(典型值):68nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
IPB100N04S3-03 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低功率损耗,提升整体系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达 100A 的连续漏极电流,满足大功率应用场景的需求。
3. 小巧的 PQFN 封装,节省 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。
4. 出色的热稳定性,在高温环境下依然能够保持可靠的性能。
5. 快速开关特性,适合高频开关应用,有助于减少开关损耗。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子设备的设计要求。
IPB100N04S3-03 广泛应用于以下领域:
1. 电信和服务器电源中的高效 DC-DC 转换。
2. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
4. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
5. 各种开关模式电源(SMPS)解决方案。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
IPA100N04S3-03, IPB100N04S3L-03