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IPB100N04S3-03 发布时间 时间:2025/5/23 9:50:36 查看 阅读:14

IPB100N04S3-03 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET),属于 OptiMOS 系列。该器件采用了先进的制程技术,具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等特性,非常适合用于各种开关应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等领域。
  这款 MOSFET 的封装形式为 PQFN3333-10L(3.3x3.3mm),非常适用于对空间要求严格的紧凑型设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:100A
  导通电阻(典型值):1.3mΩ
  栅极电荷(典型值):68nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

IPB100N04S3-03 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低功率损耗,提升整体系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达 100A 的连续漏极电流,满足大功率应用场景的需求。
  3. 小巧的 PQFN 封装,节省 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。
  4. 出色的热稳定性,在高温环境下依然能够保持可靠的性能。
  5. 快速开关特性,适合高频开关应用,有助于减少开关损耗。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子设备的设计要求。

应用

IPB100N04S3-03 广泛应用于以下领域:
  1. 电信和服务器电源中的高效 DC-DC 转换。
  2. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
  3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
  4. 消费类电子产品中的适配器和充电器。
  5. 各种开关模式电源(SMPS)解决方案。
  6. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

IPA100N04S3-03, IPB100N04S3L-03

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IPB100N04S3-03参数

  • 数据列表IPx100N04S3-03
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.5 毫欧 @ 80A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs145nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9600pF @ 25V
  • 功率 - 最大214W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装PG-TO263-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IPB100N04S3-03-NDIPB100N04S3-03TRSP000260847