时间：2025/8/6 3:22:14
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IXGR24N60B是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源转换和功率管理领域。该器件采用了先进的沟道技术，提供了卓越的开关性能和导通损耗特性，适用于各种高频率和高效率的电力电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）：24A
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω（最大）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
IXGR24N60B具备低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高效率。该器件的高耐压能力使其适用于600V的工作环境，同时具有较高的电流承载能力，适合于大功率应用。此外，其采用的先进技术确保了快速的开关性能，从而减少了开关过程中的能量损耗。
该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在较高的温度环境下可靠工作。其封装形式（TO-247）提供了良好的散热性能，有利于延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。同时，该器件的栅极驱动要求较低，能够与多种控制电路兼容，简化了驱动电路的设计。
IXGR24N60B的内部结构优化了电磁干扰（EMI）性能，减少了高频开关时的噪声产生，从而降低了对外部滤波元件的要求。其高可靠性和耐用性使其成为工业电源、UPS系统、太阳能逆变器和电动工具等应用中的理想选择。
IXGR24N60B常用于电源管理、DC-AC逆变器、AC-DC转换器、电动工具、工业自动化设备和高频电源供应器等场景。其高性能特性使其在需要高效率和高稳定性的电力电子系统中得到了广泛应用。
IXTP24N60B, FGL40N60B, FQP24N60C
