UD4606G 时间：2025/12/27 8:50:18 阅读：10

UD4606G是一款由上海陆芯电子科技有限公司推出的高性能硅基氮化镓功率场效应晶体管（GaN FET），专为高频、高效率的电源转换应用而设计。该器件结合了氮化镓材料的优异特性与先进的封装技术，能够在高频开关条件下实现极低的导通电阻和开关损耗，从而显著提升电源系统的整体能效。UD4606G采用的是常关型增强模式（e-mode）设计，确保在栅极无驱动信号时器件处于关闭状态，提高了系统在启动和故障情况下的安全性。该芯片适用于多种现代电力电子拓扑结构，如图腾柱PFC、LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）以及软开关DC-DC转换器等，广泛应用于服务器电源、通信电源、工业电源、新能源汽车OBC（车载充电机）及光伏逆变器等领域。
　　UD4606G具备优良的热性能和电气稳定性，能够在高温环境下稳定工作，其封装形式优化了寄生电感，提升了抗dv/dt能力，减少了误触发的风险。此外，该器件还集成了体二极管，支持双向电流导通，在某些桥式电路中可省去外接反并联二极管，简化电路设计并节省PCB空间。由于其高频工作能力，配合合适的驱动电路，可以实现小型化磁性元件和电容的设计，有助于减小整个电源系统的体积和重量，满足现代电子产品对高功率密度的需求。

参数

型号：UD4606G
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-GaN FET）
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：12A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：36A
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（典型值，VGS=5V）
　　栅源阈值电压（Vth）：1.5V ~ 2.2V
　　输入电容（Ciss）：1200pF @ VDS=100V
　　输出电容（Coss）：180pF @ VDS=100V
　　反向恢复电荷（Qrr）：0C（无体二极管反向恢复）
　　最大栅源电压（VGS max）：+7V / -4V
　　工作结温范围（Tj）：-40°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN8x8 或类似贴片封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

UD4606G的核心优势在于其基于氮化镓（GaN）半导体材料所构建的高电子迁移率晶体管（HEMT）结构，这种结构使得器件在高频开关应用中表现出远优于传统硅基MOSFET的性能。首先，其超低的导通电阻（RDS(on)仅为60mΩ）与较低的栅极电荷（Qg）相结合，显著降低了导通损耗和驱动损耗，使得在高频率下仍能保持高效率。其次，由于采用增强型设计，UD4606G在上电过程中自然处于关断状态，无需额外的负压关断电路，简化了驱动设计并提高了系统可靠性。相比耗尽型GaN器件，e-mode结构更易于与现有的硅基驱动IC兼容，降低了系统设计门槛。
　　该器件具有极低的输出电容（Coss = 180pF）和近乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在硬开关或软开关拓扑中，其关断过程几乎不产生反向恢复电流，有效抑制了开关节点的电压振铃和电磁干扰（EMI），提升了系统的电磁兼容性。同时，低Coss也有助于提高轻载效率，特别适合待机功耗要求严格的电源产品。此外，UD4606G的封装经过优化，具有较低的源极寄生电感和良好的热传导路径，能够有效抑制共源电感引起的栅极振荡，提升器件在高速开关下的稳定性。
　　在可靠性方面，UD4606G通过了严格的工业级认证测试，包括高温高压栅极应力测试（HTGS）、高温反偏测试（HTRB）和温度循环测试等，确保其在长期运行中的稳定性和寿命。器件的工作结温可达150°C，支持在高温环境中持续运行，适用于密闭或散热条件受限的应用场景。其DFN8x8封装形式不仅体积小巧，便于实现高密度布局，还具备良好的散热性能，可通过PCB背面的散热焊盘将热量快速传导至散热层，进一步提升功率处理能力。

应用

UD4606G凭借其高频、高效、高可靠性的特点，广泛应用于各类高功率密度电源系统中。在通信电源领域，它常用于48V转12V的中间总线转换器（IBC）或高效率的图腾柱无桥PFC电路中，帮助提升整机效率并缩小体积。在数据中心和服务器电源中，UD4606G可用于LLC谐振变换器的主开关管或同步整流管，实现98%以上的转换效率，满足80 PLUS钛金等级的能效要求。此外，在新能源汽车领域，该器件可应用于车载充电机（OBC）的AC-DC和DC-DC级，支持双向能量流动和高功率密度设计，助力电动汽车充电系统的轻量化和高效化。
　　在工业电源和高端消费类电源中，UD4606G也展现出强大的竞争力。例如，在大功率适配器（如笔记本电脑、游戏主机电源）中，采用该器件可实现MHz级别的开关频率，大幅减小变压器和滤波电容的尺寸，使电源更加紧凑便携。在光伏微型逆变器中，UD4606G可用于DC-AC全桥或半桥拓扑，利用其快速开关能力和低损耗特性，提高太阳能发电系统的能量转换效率。此外，该器件还可用于无线充电发射端、UPS不间断电源、电机驱动等需要高频高效功率转换的场合，为下一代电力电子系统提供关键支持。