时间：2025/12/28 1:34:41
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PIS105-100MT是一款由Power Integration（PI）公司推出的高集成度、高性能的离线式开关电源IC，广泛应用于小功率交直流转换场景。该器件基于PI先进的InnoSwitch3产品系列设计，集成了高压MOSFET和次级侧同步整流控制器，并采用fluxLink磁感通信技术实现初级与次级之间的安全隔离反馈，无需传统光耦即可实现精确的输出电压和电流调节。PIS105-100MT特别适用于对效率、可靠性和空间布局有严苛要求的应用，如家电辅助电源、工业控制电源、智能家居设备、IoT模块以及电信设备中的待机电源等。
PIS105-100MT内置105°C工作结温的PowiGaN氮化镓开关技术，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体能效并减少散热需求。其自供电特性使得在启动和负载瞬态响应方面表现优异，同时具备完善的保护机制，包括过流、过压、过温及输出短路保护等功能，确保系统在各种异常工况下仍能安全运行。此外，该芯片支持准谐振（Quasi-Resonant, QR）和边界导电模式（Boundary Conduction Mode, BCM），可在宽输入电压范围内保持高效运行。
型号：PIS105-100MT
制造商：Power Integrations
系列：InnoSwitch3-Pro
拓扑结构：反激式
输入电压范围：90VAC - 265VAC（通用交流输入）
集成开关类型：PowiGaN GaN开关
开关频率：典型值为100kHz
输出功率能力：最高可达约30W
反馈方式：fluxLink磁感通信（无光耦）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：ISOPackage-17D
保护功能：OVP、OCP、OTP、SCP
控制模式：准谐振/BCM
待机功耗：<30mW
效率：>94%（典型应用）
PIS105-100MT的核心特性之一是采用了Power Integrations独有的PowiGaN氮化镓技术，将高性能GaN开关集成于单芯片中，取代了传统的硅基MOSFET。这项技术不仅大幅提升了开关速度，还显著降低了导通电阻和开关损耗，使电源系统能够在更高频率下运行而不会导致温升过高。这直接带来了更高的能量转换效率和更小的磁性元件尺寸，有助于实现紧凑型电源设计。由于GaN器件具有更低的栅极电荷和输出电容，因此在高频操作下的动态损耗也得到有效抑制，尤其在轻载和中等负载条件下表现出卓越的能效性能。
另一个关键特性是其高级数字控制架构与fluxLink双向磁感通信技术的结合。通过次级侧控制器发送精确的调节信号至初级侧，实现了±1%的输出电压精度和±3%的输出电流精度，满足多路输出或恒压/恒流输出的严格要求。这种无光耦设计不仅提高了长期可靠性（避免了光耦老化问题），还增强了系统的抗干扰能力和绝缘耐压性能，符合IEC 60950和IEC 62368等安规标准。
该器件还支持可编程的多模式控制策略，可根据负载情况自动切换准谐振（QR）与边界导电模式（BCM），以优化不同工况下的效率表现。同时，它具备丰富的故障诊断与保护功能，可通过通信接口反馈故障代码，便于系统调试与维护。此外，PIS105-100MT集成了高压启动电路，无需外部启动电阻，进一步简化了外围设计并缩短了启动时间。其高度集成化的设计减少了外部元器件数量，降低了BOM成本和PCB面积占用，非常适合自动化生产与高密度组装需求。
PIS105-100MT广泛应用于需要高效率、小体积和高可靠性的低功率电源系统中。在消费类电子产品领域，常用于智能电视、音响设备、机顶盒和路由器的辅助电源或主电源模块，尤其是在追求超低待机功耗的产品设计中表现突出。在白色家电行业，该芯片被用于冰箱、洗衣机、空调等设备的内部控制电源，提供稳定的直流电压以驱动MCU、传感器和通信模块。
在工业自动化与控制系统中，PIS105-100MT适用于PLC模块、HMI面板、远程I/O单元以及传感器供电单元，其宽温工作范围和强健的保护机制确保在恶劣环境下稳定运行。此外，在楼宇自动化、智能家居网关、安防监控设备和智能照明控制系统中，该器件凭借其紧凑设计和高效能特点成为理想选择。
电信基础设施方面，PIS105-100MT可用于小型基站、光纤调制解调器和网络交换机的嵌入式电源方案。由于支持多路输出配置和精确的恒流/恒压控制，也可用于LED驱动电源或电池充电器等特定应用场景。其符合能源之星、DoE VI级和CoC V5等国际能效标准的能力，使其在全球市场具备良好的合规性和竞争力。
INN3370C
INN3270C
PFS7620H
