时间：2025/12/26 16:04:20
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PC28F800C3TD70是一款由英特尔（Intel）生产的并行接口闪存芯片，属于其著名的StrataFlash家族中的一员。该器件是一款非易失性存储器，采用先进的多级单元（MLC）技术，能够在每个存储单元中存储多位数据，从而显著提高存储密度并降低成本。PC28F800C3TD70的存储容量为8兆字节（64兆位），组织结构为512千字 × 16位，适用于需要中等容量、高可靠性和快速读取性能的应用场景。该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备以及汽车电子等领域。由于其具备良好的温度稳定性和耐久性，可在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）可靠运行，满足严苛环境下的使用需求。此外，该器件支持标准的JEDEC封装和引脚定义，便于在现有设计中进行替换和升级。虽然英特尔已逐步退出部分闪存市场并将相关技术转让给美光等公司，但PC28F800C3TD70仍在许多存量设备中广泛使用，技术支持和替代方案也较为成熟。
品牌：Intel
型号：PC28F800C3TD70
类型：NOR Flash
容量：64 Mbit
电压：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40℃ ~ +85℃
封装：TSOP-56
接口类型：Parallel
写入周期典型值：100K
读取访问时间：70ns
PC28F800C3TD70具备多项关键特性，使其在嵌入式系统和工业应用中表现出色。首先，该芯片采用了Intel的StrataFlash技术，允许每个存储单元存储多个数据位，从而在不增加物理尺寸的情况下提升存储密度，同时降低单位比特成本。这种技术特别适合对成本敏感但又需要一定存储容量的应用场合。其次，该器件支持高性能的读取操作，其典型读取访问时间为70纳秒，能够满足实时系统对快速代码执行的需求，尤其适用于XIP（就地执行）应用场景，即处理器直接从闪存中运行程序代码而无需将其加载到RAM中。
该芯片还具备良好的耐用性和数据保持能力。在其生命周期内，可支持高达10万个编程/擦除周期，确保长期使用的可靠性。同时，在正常工作条件下，数据可保存长达10年，即使在高温或低温环境下也能维持稳定的性能表现。为了增强系统的稳定性，PC28F800C3TD70集成了多种内部管理功能，包括自动擦除验证、编程重试机制以及错误检测逻辑，这些功能有助于减少外部控制器的负担，并提高整体系统的鲁棒性。
在电源管理方面，该器件支持低功耗模式，如待机模式和深度掉电模式，可以在系统空闲时显著降低功耗，延长电池寿命，特别适用于便携式或远程部署的设备。此外，它具备宽电压工作范围（2.7V至3.6V），兼容3.3V系统电源，无需额外的电压转换电路，简化了电源设计。其TSOP-56封装形式不仅提供了良好的电气性能和散热能力，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。
最后，PC28F800C3TD70符合工业级温度规范（-40°C至+85°C），能够在极端温度环境中稳定运行，适用于户外设备、车载系统和工业自动化设备等复杂工况。其引脚排列遵循JEDEC标准，有助于与现有系统兼容并方便升级替换。尽管该产品已进入生命周期后期，但由于其成熟的技术和广泛的行业应用基础，仍然受到许多设计工程师的青睐。
PC28F800C3TD70广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。常见用途包括工业控制系统中的固件存储，用于保存PLC程序、配置参数和启动代码；在网络通信设备如路由器、交换机和基站中作为引导ROM，存储BIOS或Bootloader程序；在汽车电子系统中用于仪表盘控制模块、车载信息娱乐系统和ECU（电子控制单元）中存储校准数据和操作系统镜像；此外，还用于医疗设备、测试仪器和消费类电子产品中，提供稳定的本地存储解决方案。由于其支持就地执行（XIP）能力，特别适合那些需要快速启动和高效运行的应用场景。
S29GL064N90TFI04
MT28EW01GABA1LPC-0SIT
SST39VF6401B-70-4C-F5
